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美国拟斥资 8.25 亿美元支持纽约州 EUV 光刻旗舰研发站点建设
11 月 1 据美国商务部当地时间昨日新闻稿报道，该部门和美国《CHIPS》美国国家半导体技术中心法案 NSTC 项目运营商 Natcast 第一个在纽约州立大学奥尔巴尼纳米技术中心建设的公告《CHIPS》旗舰法案研发站。
该网站名称为“”EUV “加速器”，重点推进最先进的 EUV 光刻技术和依赖该技术的研发工作有望获得 8.25 1亿美元(计算机系统网注:目前约: 58.75 1亿元)美国联邦投资支持。
“EUV 加速器站点将于 2025 年开始运营，预计同年引入 0.33NA EUV 光刻机、2026 年引入 High NA EUV 光刻机。本网站将召集和促进与行业、学术界和政府合作伙伴的合作，支持提供、培训和发展有才华的员工计划，促进半导体技术创新。
除这一 EUV 除光刻站外，美国还计划在原型制造和先进包装制造领域建设研发设施。
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