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美印两国达成协议，在印度共建工厂生产红外、氮化镓、碳化硅芯片
9 月 23 据《印度时报》报道，当地时间 22 印度总理莫迪和美国总统拜登发表了联合声明，称美国和印度将共同在印度建立芯片制造商，以加强印度总理纳伦德拉・莫迪加强了制造业的努力。
该工厂将专注于为国家安全、下一代电信和绿色能源应用提供先进的感应、通信和电力电子技术，生产红外、氮化镓和碳化硅芯片。印度半导体任务和巴拉特半导体公司，3rditech 该公司与美国太空部队的战略技术合作将得到支持。
据悉，GlobalFoundries(注:格芯公司)在加尔各答成立 GF 加尔各答电力中心将加强芯片制造和研发领域的互利联系，为零排放和低排放车辆、互联网车辆、物联网设备、人工智能和数据中心的突破铺平道路。
此外，IBM 还与印度政府签署了谅解备忘录，IBM 的 Watsonx 该平台将能够部署在印度 Airawat 超级计算机。
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