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消息称美光 6 月遭遇 HBM3E 内存封装缺陷，影响向英伟达 H200 供货
7 月 12 日信息，韩国媒体 ZDNet Korea 报导指，美光的 HBM3E 内存从上 (6) 月遭受封装缺点，造成发烫难题，严重影响量产过程。
美光于 2024 年 2 月 26 日公布量产根据 1β 工艺技术 HBM3E 内存，并且从二季度逐渐向英伟达供应，用以 H200 AI GPU。
除此之外据台湾媒体《工商时报》信息，英伟达 H200 处理芯片于二季度中下旬进到量产环节，预估三季度开始大规模交货。
韩国媒体表明，因为情况出现在 2.5D 封装方面并非 HBM 产品自身，美光在这次缺点时应承担的风险并不算太大。
有分析认为，美光 HBM3E 内存发生关键是tsmc在封装过程中使用了不正确的原材料而致。
美光在 2024 财政年度第三财季（截至今年 5 月 30 日）财报中表明，HBM3E 内存已经在上一财季为美光造就了超 1 亿美金（备注名称：现阶段约 7.27 亿人民币）收入，将来相关收入还会进一步提升。
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